Kontrola wymiarów jest wykonywana zarówno dla oryginałów i kopii pośrednich, jak i dla masek roboczych; z reguły kontroluje się ograniczoną liczbę struktur na masce, przy czym z partii masek roboczych sprawdza się kilka sztuk. Wygodne jest stosowanie ? szczególnie w przypadku złożonych struktur ? specjalnych znaków pomiarowych, odpowiadających krytycznemu wymiarowi dla danej operacji. Tolerancje wymiarów wynoszą zwykle: ok. ? 0,5 um dla wymiarów w pobliżu i poniżej 5 nm, ? 1 |im dla wymiarów do 20 … 30 xm, ?1,5 um dla wymiarów większych. Układ pól tolerancji jest zależny od stosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych warstw kopiowych i technologii obróbki fotolitograficznej. Do kontroli wymiarów są stosowane mikroskopy z okularami pomiarowymi, powiększenie ? co najmniej 400-krotne. Bardzo wygodne są mikroskopy z okularami umożliwiającymi bezpośredni odczyt cyfrowy. Kontrola jakości fotograficznej polega najczęściej na porównaniu z wzorem, wykonywana może być wraz z kontrolą wymiarową. Kontrola czystości fizycznej jest wykonywana przez obserwację pod mikroskopem określonej liczby struktur na wszystkich wzorcach i próbkach pobieranych z partii masek roboczych. Jako wadliwe uznaje się najczęściej struktury, na których znajdują się białe prześwity na czarnych polach i czarne plamy na białych, przekraczające 2… 2,5 firn, nie dające się usunąć ciała obce. Z reguły występowanie jednej wady dyskwalifikuje strukturę, przy czym zwykle nie wnika się w położenie wady. Wygodne jest sporządzenie odpowiednich tabel opartych na statystycznych metodach kontroli dla określonych wymiarów struktur i wielkości partii masek. Wobec przypadkowego rozkładu zanieczyszczeń i prawdopodobieństwa ich równomiernego rozkładu na powierzchni dopuszcza się stosunkowo większą liczbę struktur uszkodzonych przy większych wymiarach struktur.
Przeczytaj także: Dyfuzyjność
Z punktu widzenia parametrów przyrządów półprzewodnikowych, w których są stosowane krzemowe warstwy polikrystaliczne, istotna jest rezystywność, dyfuzyjność i ruchliwość nośników w tych warstwach. Zjawiskiem najsilniej zależnym od struktury warstw jest dyfuzja atomów domieszek. W polikryształach zachodzi ona dużo szybciej niż w monokryształach, co jest spowodowane gwałtownym przemieszczaniem się atomów domieszek wzdłuż zdefektowanych obszarów, a następnie wnikaniem ich do wnętrza sąsiadujących krystalitów. Typ i stopień zdefektowania są silnie zależne od warunków osadzania warstwy polikrystalicznej. Badania dyfuzji elektrycznie aktywnych domieszek w polikrystalicznych warstwach krzemowych wykazały , że współczynnik dyfuzji zależy bardzo silnie od temperatury osadzania warstwy. Maksymalna dyfuzyjność występuje w warstwach osadzanych w takich temperaturach, w których obserwuje się maksymalną teksturę. Obecność silnej tekstury powoduje ponadto wytworzenie się bardziej jednorodnego frontu dyfuzji. Dla zobrazowania omawianego zjawiska można podać, że w polikrystalicznych warstwach krzemowych, osadzanych w optymalnych warunkach, atomy boru w tym samym czasie dyfundują około 9 razy dalej, niż w warstwach monokrystalicznych. Stwierdzono również, że wartość temperatury osadzania warstw, przy której wykazują one maksymalną dyfuzyjność, zmienia się w zależności od szybkości osadzania warstwy i sposobu jej zarodkowania.
